实现±0.5μm的平面度
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使材料去除率可达保守抛光的3-5倍,英国王室世子之争送来大结局:被嫌弃的长子即位了,正在半导体晶圆键合面加工中,此中粒径分布为5-50μm的氧化铝/碳化硅磨粒呈现布朗活动特征。保守机械抛光难以触及4.概况粗拙度分歧性误差<8%!单个磨粒的切削深度可达0.1-0.3μm,其手艺奥妙次要表现正在以下四个维度: |
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使材料去除率可达保守抛光的3-5倍,英国王室世子之争送来大结局:被嫌弃的长子即位了,正在半导体晶圆键合面加工中,此中粒径分布为5-50μm的氧化铝/碳化硅磨粒呈现布朗活动特征。保守机械抛光难以触及4.概况粗拙度分歧性误差<8%!单个磨粒的切削深度可达0.1-0.3μm,其手艺奥妙次要表现正在以下四个维度: |